fowlernordheimtunneling原理

本篇論文探討著有關閘極穿隧電流對於元件的影響及模型。為了簡化模擬，我們會用佛勒-諾德翰穿隧電流模型(Fowler-Nordheim tunneling current model)為基礎和分析。

2022年8月18日 — 量子穿隧效應在上世紀的下半葉已經被廣泛應用，像半導體元件中電子從金屬跳躍過絕緣體到達彼端，就是利用量子穿隧效應，譬如Fowler-Nordheim tunneling。

半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。

erasing, channel Fowler-Nordheim programming & erasing, and negative gate voltage erasing. ... tunneling)方式將資料抹除)。 快閃記憶體由於是以MOS 電晶體作為基礎 ...

原理作為操作概念。一個標準的商業非揮發性記憶. 體元件類似英代爾(Intel) 公司的可 ... ② 傅勒－諾德翰穿隧(Fowler-Nordheim Tunneling). 在外加強大的跨越薄氧化層電場 ...

由 陳昭睿 著作 · 2008 — 2 F-N 穿隧（Fowler-Nordheim Tunneling ... ＊寫入與抹除原理. 快閃記憶體利用EEPROM 的方法來寫入及清除，是藉由基板(substrate)與控制閘之間. 的電荷的注入/釋出而為之， ...

F-N 穿隧與直接穿隧最不同之處就在於會隨著元件的操作電壓上升，而使. 穿隧發生的機率上升。 我們使用TCAD 模擬軟體，利用閘極電壓將電子充進氮化層後，再將所有的偏壓歸零 ...

由 陳郁如 著作 · 2004 — 紅外光的範圍[7]。 2.3 NBit 記憶體元件發光機制原理. 2.3.1 FN 穿隧（Fowler-Nordheim tunneling）機制之原理. Fowler-Nordheim 穿隧機制，實際上，是一個電場輔助電子 ...